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今年臺積電和三星就要量產(chǎn)5nm工藝了,國內(nèi)的先進(jìn)工藝還在追趕,最大的晶圓代工廠中芯國際去年底量產(chǎn)了14nm工藝,帶來了1%的營收,收入769萬美元,不過該工藝技術(shù)已經(jīng)可以滿足國內(nèi)95%的需求了。
14nm及改進(jìn)型的12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝,他們還在研發(fā)更先進(jìn)的N+1括N+2 FinFET工藝,分別相當(dāng)于7nm工藝的低功耗、高性能版本。
根據(jù)中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松博士所示,N+1工藝和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。
N+1之后還會有N+2,這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多,區(qū)別在于 性能及成本,N+2顯然是面向高性能的,成本也會增加。
至于備受關(guān)注的EUV光刻機(jī),梁孟松表示在當(dāng)前的環(huán)境下,N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝,等到設(shè)備就緒之后,N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV,之后的工藝才會大規(guī)模轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。
現(xiàn)在最關(guān)鍵的是中芯國際的7nm何時量產(chǎn),最新消息稱中芯國際的N+1 FinFET工藝已經(jīng)有客戶導(dǎo)入了(不過沒公布客戶名單),今年Q4季度小規(guī)模生產(chǎn)——這個消息比之前的爆料要好一些,進(jìn)度更快。
為了加快先進(jìn)工藝產(chǎn)能,中芯國際今年的資本開支將達(dá)到31億美元(該公司一年營收也不過30億美元上下),其中20億美元用于中芯國際的上海12英寸晶圓廠,5億美元用于北京12英寸晶圓廠。
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