我國半導體制造核心技術實現突破
點擊： 作者：記者 來源：澎湃新聞 發布時間:2024-09-13 11:58:42
近日，國家電投所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創芯”）暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心，完成首批氫離子注入性能優化芯片產品客戶交付。這標志著我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產業鏈中缺失的重要一環，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。
▲工程師進行晶圓離子注入生產
氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環節，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品制造過程中起著關鍵作用，該領域核心技術及裝備工藝的缺失嚴重制約了我國半導體產業的高端化發展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。核力創芯的技術突破，打破了國外壟斷。
核力創芯在遭遇外國關鍵技術及裝備封鎖的不利條件下，堅持自力更生，自主創新，打造新質生產力，在不到三年的時間里，突破多項關鍵技術壁壘，實現了100%自主技術和100%裝備國產化，建成了我國首個核技術應用和半導體領域交叉學科研發平臺。首批交付的芯片產品經歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，獲得用戶高度評價。
原標題：《我國半導體制造核心技術實現突破》
來源：澎湃新聞
責任編輯：向太陽
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