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近年來，長江存儲等一批企業開始攻關存儲芯片，意圖擺脫三星、SK海力士、東芝、鎂光、閃迪等廠商的掣肘。然而，三星的兩個舉措很有可能是在為狙擊中國存儲芯片做準備。一是三星刻意控制產能，防止存儲芯片價格下滑。由于三星可以控制產量，直接導致美國一些半導體設備廠商的設備出貨量在短期內下滑了20%左右。三星之所以要這樣做，極有可能是想在國產存儲芯片上市前，再大賺一筆錢，存儲充足的彈藥，為將來和國產存儲芯片打價格戰做準備。另一個消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量產。如果國產存儲芯片上市之時，三星開始暴產能，而且是最新的第五代V-NAND，國產存儲芯片將面臨技術和成本雙重競爭，將會處于非常不利的局面。

據統計，2017年NAND和DRAM銷售總額高達1320億美元，比2016年的800億美元增長了65%。銷售額暴漲的重要原因之一，就是NAND和DRAM價格瘋漲。其中幕后的黑手就是三星，畢竟三星在存儲芯片市場的份額非常高，只要聯合同為韓國企業的SK海力士，就可以輕易操縱市場。

三星抑制存儲產能賺取高利潤，國產存儲芯片恐被狙擊

近年來，長江存儲等一批企業開始攻關存儲芯片，意圖擺脫三星、SK海力士、東芝、鎂光、閃迪等廠商的掣肘。然而，三星的兩個舉措很有可能是在為狙擊中國存儲芯片做準備。

一是三星刻意控制產能，防止存儲芯片價格下滑。由于三星可以控制產量，直接導致美國一些半導體設備廠商的設備出貨量在短期內下滑了20%左右。三星之所以要這樣做，極有可能是想在國產存儲芯片上市前，再大賺一筆錢，存儲充足的彈藥，為將來和國產存儲芯片打價格戰做準備。

三星抑制存儲產能賺取高利潤，國產存儲芯片恐被狙擊

另一個消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量產。新一代存儲芯片在存儲與內存之間的數據傳輸率高達1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40%。電壓從1.8V降至1.2V，性能功耗比有所提高。

此外，韓國媒體報道，三星計劃擴大韓國平澤工廠。如果國產存儲芯片上市之時，三星開始暴產能，而且是最新的第五代V-NAND，國產存儲芯片將面臨技術和成本雙重競爭，將會處于非常不利的局面。

三星抑制存儲產能賺取高利潤，國產存儲芯片恐被狙擊

如果三星、SK海力士、鎂光、東芝等國外廠商聯手絞殺，國產存儲芯片將會處于非常尷尬的境地，可能會遭遇比京東方早年還要嚴重的虧損。中國存儲芯片逆襲之路，恐怕不會很順利，沒準也要經歷10年內連年虧損這樣一個過程。