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“中國諾貝爾獎”給了光刻技術的顛覆者,沒有他就沒有臺積電的今天
點擊:  作者:陳伊凡    來源:經濟觀察報  發布時間:2018-11-25 12:11:48

 

 (圖片來源:全景視覺)

經濟觀察報 記者 陳伊凡 估計戈登·摩爾(Gordon Moore)自己也沒有想到,53年前發表在《電子學》雜志(《Electronics Magazine》)上的《讓集成電路填滿更多的組件》,會在隨后半個多世紀左右半導體行業的發展。他曾在文章中預言,半導體芯片上的集成晶體管和電阻數量將會每年增加一倍,該預言也被后世稱為摩爾定律

盡管摩爾定律在過去30年間被證明相當有效,但如果沒有一個人在技術上的突破,該定律可能早在此之前就已終結。這個人就是美國國家工程院院士、臺灣中央研究院院士林本堅——2018年未來科學大獎數學與計算機科學獎的唯一獲得者。他曾是臺積電的研發副總裁和杰出研究員。臺積電前董事長張忠謀曾說,如果沒有林本堅,臺積電的微影就沒有今天的規模。

改寫歷史

70多歲的林本堅,個頭不高,舉手投足間透著儒雅和禮節。

1119日,在清華大學FIT樓的多功能廳,林本堅以把半導體元件縮到光波長四十分之一為主題,介紹了他傾其一生的光刻技術。當下熱門的人工智能芯片、5G芯片、挖礦芯片背后,幾乎都有浸潤式光刻技術的身影。根據IEEE近期的數據統計,浸潤式微影技術制造了至少世界上80%的晶體管。

林本堅戲稱自己所在的光刻行業是一個寂寞的行業。這不僅與半導體行業本身很的特點相關,也與光刻所需的技術門檻和研發周期相關。全球精于浸潤式微影技術的工程師不超過十位,林本堅便是其中翹楚。

如今,這個寂寞的行業正成為左右半導體芯片生產最為復雜和關鍵的步驟所在。

芯片生產主要分為IC設計、IC制造、IC封測三大環節。根據目的進行邏輯設計和規則,根據設計圖制作掩模以供后續光刻使用,然后將芯片的電路圖從掩模版轉移到硅片上,實現預定的芯片功能,包括光刻、刻蝕等,最后IC封測對芯片進行封裝和新能測試,再完成交付。

而將電路圖從掩模版轉移到硅片的過程,是半導體生產的難點。光刻技術是解決這一難點的關鍵步驟之一,其工作原理是在晶圓上涂上光刻膠,把掩模版放在晶圓上,讓光進行透射,經過物鏡補償各種光學誤差,將線路圖成比例縮小后映射到硅片上,被光透射到的光刻膠就發生性質變化,形成刻在硅片上的線路圖。

通常說的45nm28nm10nm,是半導體的不同技術節點,即不同制程。制程越小,單位時間內芯片能處理的信息就越多,信號傳遞速度更快,并且單位面積的提升能夠降低制作成本。光刻的工藝水平,直接決定芯片的制程水平和性能。

在半導體行業最初發展的三十年中,摩爾定律基本得以實現的關鍵,就在于光刻機能不斷實現更小分辨率,能夠在單位面積芯片上制造更多的晶體管,提高芯片的集成度。

在上世紀初,全球半導體制造路徑從0.13微米、90納米到65納米制程,根據摩爾定律,下一個工藝制程推算應該發展157納米光源的光刻技術,但157納米光源的商業化進程遲遲未能落地,摩爾定律面臨終結。

然而,林本堅用以水為介質的193納米浸潤式微影技術,改寫了這一進程。2004年,臺積電和ASML共同完成開發了全球第一臺浸潤式微影機臺。隨后,臺積電啟用全世界第一臺193納米浸潤式微影技術機臺,正式跨入65nm線寬的生產。這一技術成為此后654532納米線寬制程的主流,推動摩爾定律往前推進了三代。

為什么是林本堅

林本堅語速很慢,擅長用類比和故事來解釋艱深的技術,例如有趣的 K系數“20735 28nmSRAM Cell可以放在一根頭發的橫截面上。他可以從自己高中第一臺照相機開始,說起自己與光的緣分。

而對于艱澀的光刻技術,林本堅就是從光刻機最小分辨率的計算公式開始講起的。公式中的每個系數,對應著半導體生產流程中的各個關鍵技術,當然也包括得出高解析度的秘密。

通過縮小分辨尺寸以增加解析度,這是一直以來許多工程師都在嘗試的辦法。具體操作無外乎增加孔徑、減少波長、減少工藝常數以及增加折射率這四個路徑。

第一種方法最為容易,只需花錢定制更大鏡頭的機器即可。但如此一來,鏡頭復雜度增加的同時,成本也隨之提升。

而降低波長的第二種方法,則需要改變光透射的媒介,且光阻的透明度也很難提高,同時也達不到降成本的目的。

但降低波長的辦法在很長一段時間里卻頗為叫座。工程師們曾絞盡腦汁在將波長縮短至157納米的方法上,許多芯片廠商為此甚至投入數十億美金。但鏡片所需要的高品質材料以及光阻的透明度一直無法突破,157納米波長技術似乎走入死局。

減少工藝常數作為第三種方法看似完美,但真正在工程上做出改變卻很難,僅僅將它降低0.05就已十分艱難。用林本堅的說法,這需要持續的創新

在成本可控和技術可實現之間,林本堅找到了自己的答案:增加折射率成為最后也是唯一的選擇,以水作為介質的193納米浸潤式微影的技術應運而生。

此前的光刻機都是干式機臺,曝光顯影都是在無塵室中,以空氣為媒介進行。浸潤式微影技術可以用193納米的光刻鏡頭,用水作為介質,由于水的折射率大于1,進入光阻的波長也就縮小到134納米,解析度隨之提高,并且景深不會降低。

為何會是林本堅?這一看似理所當然的技術,為何不是被諸如IntelIBM等行業巨擘率先突破?

其實早在浸潤式微影技術發明之前,美國、歐洲和日本的設備廠已經投下大量研發費,用開發157納米光源的光刻技術。如果再從193納米光源的技術中找突破,相當于挑戰業界的共識。

那段時間,林本堅不斷做實驗、發論文,像一個傳教士,四處奔走在研討會和一些設備廠商之間,試圖說服他們考慮浸潤式技術。

有一個案例,他說了多遍。2002年,他受邀參加一場國際光電學會技術研討會,討論157納米光源。但林本堅發言時一直在說193納米,當他提出193納米光源,經過以水為介質折射之后,進入光阻的波長能夠縮小到134納米時,語驚四座。然后會上大家就沒有再談157納米,都在提193納米。

許多學術研究的思路都是不計時間和成本去攻克最難的技術,但這一點,在產業化的實踐中并不現實。在當時各大廠商紛紛投入研發157納米波長的光刻技術時,林本堅卻調轉船頭。當你發現一項研究在投入大量資金和時間之后未有進展,這時候需要做的是停下來,另辟蹊徑。林本堅說。

摩爾定律的終結?

而今天,摩爾定律似乎又走到了新的關口。

摩爾定律衍生出來的行業邏輯是:新一代芯片的效能比上一代更強、價格變便宜、電路也比原來更多,芯片因此就一定會有市場。我們過去是被光刻嬌縱慣了,在林本堅看來,光刻技術每一代負責微縮70%,其他創新的腦筋因此而變懶。而摩爾定律是從尺寸上不斷微縮,有一天達到1納米甚至原子級別,但是微縮是有極限的。

傳統依靠工藝和設計工具的進步,推動半導體行業進一步發展的方式或將不再有效,需要在經濟上拓展新的可能性。這種觀點似乎也正逐漸形成業界的共識,這也是此次未來科學大獎峰會上以及學術報告會上,學者們認同的觀點。

由于大量的投入和高階的技術門檻,目前16/14nm生產線的廠商只有英特爾、三星、臺積電和格羅方德。先進的代工資源不斷減少,一些缺少資金和市場的芯片設計企業,將陷入找不到代工資源的困境,半導體行業亟待新的創新。

在這樣的背景下,清華大學微電子所所長魏少軍提出,以架構創新推動半導體行業發展,在人工智能時代以架構創新的方法,采用動態可重構的計算芯片技術,應用資源復用的思想,使得硬件架構和功能可以隨著軟件的變化而變化,從而實現軟件定義芯片,可以推動摩爾定律持續前行。

應用材料總裁兼CEO加里·迪克森表示,由于摩爾定律速度放緩,半導體行業的傳統戰術在功率、性能、成本上沒有提供必要的改進。計算能力的本質正在發生變化。計算機和其他設備會不斷變得更強大,但是不僅僅是依靠速度,而是以更加多元的方式表現。新的計算架構也是推動計算機性能提升的重要領域。對特殊芯片的需求為半導體行業提供了空前的機遇。加里·迪克森說。

如果有一天半導體走不下去了,不是因為技術上做不到,而是因為它不再經濟。魏少軍說。

林本堅對此看得更為現實:物理上的摩爾定律一定會終結,但經濟上會繼續推進。

責任編輯:向太陽
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