南瓜：中國光刻機比荷蘭早19年，為何壟斷市場的是ASML而不是我們？
點擊： 作者：南瓜 來源：天蝎金融 發布時間:2020-09-17 10:00:24
1965年我國就有了光刻機
上個世紀60年代，可以說是我國科技史上比較輝煌的一個年代，在這個年代誕生了兩彈一星。
比如1960年11月15日，中國仿制的第1枚導彈發射成功；1964年10月16日，中國第1個原子彈爆炸成功；1967年6月17日，中國第1顆氫彈空爆成功；1970年4月24日，中國第1個人造衛星發射成功。
但除了兩彈一星之外，實際上我國在其他科技領域也取得了一些不俗的研究成果，比如1965年，中國科學院就研制出了65型接觸式光刻機。
在上世紀60年代那么艱難的環境之下，我國仍然能夠誕生出一大批重大科研成果，這確實是非常不容易的。
我國光刻機水平曾無限接近世界先進水平
提到光刻機，現在大家能夠想起的就是荷蘭的ASML，它目前壟斷了全球80%以上的高端光刻機市場，再下來就是日本的尼康和佳能，而目前我國自主研發的光刻機跟世界頂尖水平差距是非常大的。
但在80年代之前，實際上我國的光刻機曾經無限接近世界先進水平。
在1965年研發出6K型接觸式光刻機之后，光刻機研發并沒有停止，而是繼續向前推進，并取得了不俗的成果。
1970年中國科學院開始研制計算機輔助光刻掩膜工藝。
1974年1445所開始研制光刻機。
1977年1445所研制成功GK-3型半自動光刻機，這是一臺接觸式光刻機。
1978年1445所在GK-3的基礎上開發了GK-4，把加工原片直徑從50毫米提高到75毫米。
1980年清華大學研制出第4代分布式投影光刻機精度高達3微米，這個光刻機技術水平在當時僅至于美國，已經接近國際主流水平。
1981年，我國科學院半導體所研制成功JK-1型半自動接近式光刻機。
1982年，我國科學院研制的KHA-75-1光刻機，該光刻機在當時的水平均不低，最保守估計跟當時最先進的canon相比最多也就不到4年。
1985年，機電部研制出了分步光刻機樣機，通過電子部技術鑒定，認為達到美國4800DSW的水平。
光刻機研發陷入停滯狀態
如果按照80年代之前光刻機研發節奏研發下去，我國的光刻機是很有可能達到世界頂尖水平的，要知道我國光刻機在1965年就已經研發出來了，而ASML到了1984年才正式成立，相當于我國光刻機的研發時間要比當今全球最頂尖的光刻機生產商ASML還要早差不多20年。
但是時間上的領先并沒有換來技術上的領先，發展到今天，我國光刻機技術跟國際頂尖光刻機的差距已經非常大，而我國光刻機研發之所以跟國際頂尖水平差距越來越大，這跟上世紀80年代我國光刻機的貿易路線有很大的關系。
自從改革開放之后，我國跟國際的交流進一步增強，我國很多芯片都開始從自己研發轉向以進口為主，因為這些進口的芯片不僅性能比我們自己研發的好，更關鍵的是價格比自己研發的還便宜。
在這種背景之下，很多企業出于自身利潤的考慮，就主要通過進口芯片為主，而不是把更多的精力和資金放在研發自主芯片身上。
在這種特殊的環境之下，光刻機的研發其實是非常被動的，因為光刻機研發要投入大量的資金，這樣會消耗企業很大的成本，所以很多企業根本不愿意去研發光刻機，特別是在上個世紀90年代，國際光刻機長時間陷入193納米無法取得進展的時候，很多企業更不愿意把大量的資金投入到光刻機的研發當中。
再加上1996年以美國為首的西方國家簽署了《瓦森納協定》（關于常規武器和兩用物品及技術出口控制的瓦森納協定），之后很多西方國家都對中國出口技術進行封鎖，這讓我國的光刻機研發陷入更加被動的局面，結果導致我國的光刻機陷入了長時間的停滯狀態，光刻機的技術水平也從接近國際領先水平，逐漸被后來者超越。
總結
從1965年到現在已經過去了幾十年的時間，本來我國有很大的希望引領全球光刻機技術的，就像超級計算機技術那樣。
但是因為光刻機的研發難度比較大，要投入的人力、精力、資金比較多，而企業更在乎的是短期的利潤，所以不愿意把大量的資金投入到光刻機的研發當中，結果導致我國光刻機技術跟國際頂尖水平的差距越來越大。
我們也希望我國能從這段經歷當中吸取教訓，對于光刻機這種頂尖技術來說，不能光看眼前的利益，而是要著眼于未來的發展，只有沉下心來投入大量的精力和資金去研發包括光刻機在內的高精尖技術，才能確保我國在未來的競爭當中處于優勢的地位，而不是處處被人限制。
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